ZnTe kristāls

Pusvadītāju terahercu GaSe un ZnTe kristāliem ir augsts lāzera bojājuma slieksnis un tie rada ārkārtīgi īsus un augstas kvalitātes THz impulsus, izmantojot lieljaudas femtosekundes lāzerus.


  • FOB cena:0,5–9999 ASV dolāri/gab
  • Minimālais pasūtījuma daudzums:100 gab./gab
  • Piegādes spēja:10000 gab./gab. mēnesī
  • Struktūras formula:ZnTe
  • Blīvums:5,633 g/cm³
  • Kristāla ass:110
  • Produkta informācija

    Tehniskais parametrs

    Pusvadītāju THz kristāli: ZnTe (cinka tellurīda) kristāli ar <110> orientāciju tiek izmantoti THz ģenerēšanai optiskās rektifikācijas procesā.Optiskā taisnošana ir atšķirīgu frekvenču ģenerēšana datu nesējos ar lielu otrās kārtas jutību.Femtosekundes lāzera impulsiem, kuriem ir liels joslas platums, frekvenču komponenti mijiedarbojas viens ar otru, un to atšķirība rada joslas platumu no 0 līdz vairākiem THz.THz impulsa noteikšana notiek, izmantojot brīvas telpas elektrooptisko noteikšanu citā <110> orientētā ZnTe kristālā.THz impulss un redzamais impulss tiek izplatīti kolineāri caur ZnTe kristālu.THz impulss inducē ZnTe kristāla divreizējo lūzumu, ko nolasa lineāri polarizēts redzams impulss.Kad kristālā vienlaikus atrodas gan redzamais impulss, gan THz impulss, redzamā polarizācija tiks pagriezta ar THz impulsu.Izmantojot λ / 4 viļņu plāksni un staru sadalīšanas polarizatoru kopā ar līdzsvarotu fotodiožu komplektu, ir iespējams kartēt THz impulsa amplitūdu, uzraugot redzamās impulsa polarizācijas rotāciju pēc ZnTe kristāla dažādos aizkaves laikos attiecībā pret THz impulsu.Spēja nolasīt visu elektrisko lauku, gan amplitūdu, gan aizkavi, ir viena no pievilcīgām laika domēna THz spektroskopijas iezīmēm.ZnTe izmanto arī IR optisko komponentu substrātiem un vakuuma pārklāšanai.

    Pamatīpašības
    Struktūras formula ZnTe
    Režģa parametri a=6,1034
    Blīvums 110